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電子、半導體行業解決方案
2021-09-16
半導體（tǐ）生產廢氣、電子廠廢氣的形成
半導體生產製造過程可（kě）以分為3個階段：晶體材料生產階（jiē）段、各種型號晶片製造（zào）階段和組（zǔ）裝階段，其中汙染（rǎn）輕（qīng）的組裝階段僅涉
及組裝工藝，汙染較為嚴重的是晶片製造階段。
清洗工藝為保（bǎo）留芯片（piàn）表麵特性，采用化（huà）學溶（róng）液有效的清除半導體矽片表麵的（de）灰塵、殘留有機物和吸附在表麵的各種離子，主（zhǔ）要（yào）產
生（shēng）各類廢氣及廢液。晶圓鍵（jiàn）合（hé）以有無中間過渡層可（kě）分為直接鍵合和中間層鍵合，而（ér）直接鍵合方式具有鍵合強度高的優勢，是（shì）目前應用
的主流，鍵（jiàn）合工序汙染較小僅產生廢水。
氧化是在高溫惰性環境下，通入氧氣或含氧（yǎng）水汽，將矽片表麵的（de）矽氧化生長氧化（huà）層，過程一般是將作為原料的（de）矽晶圓片放入潔淨
的石英爐（lú）管中，主要（yào）產生工藝廢氣。光刻是芯片製造的核心工藝，包括塗膠、曝光、顯影3個步驟。塗膠工藝是摻雜的過程主要采（cǎi）用離（lí）
子注入技術進行摻雜，以改變（biàn）所（suǒ）使用的（de）材料的電學性質，在電子噴淋裝置中，用（yòng）氙氣產生的等離子體中和（hé）矽片表（biǎo）麵的正電荷，主要產
生工藝廢氣。
在矽片的表麵通過矽片高速旋轉從而（ér）使其表（biǎo）麵（miàn）均勻地塗上光（guāng）刻膠；曝光（guāng）工藝為使用光刻機，並使用光掩膜版對已塗（tú）膠的矽片進行
光照，；顯影工藝為去除曝光後矽片上的光刻膠，這些過程產生汙（wū）染較（jiào）大，產生廢氣、廢水、固體廢物。刻蝕技術主要分為兩大類：
液態的濕法刻蝕和氣態（tài）的幹法刻蝕（shí）。幹法刻蝕：幹法刻蝕也是一種（zhǒng）去除光刻膠未覆蓋區域的薄膜的主要產（chǎn）生工藝廢氣。
半導體生產廢氣、電子廠廢氣特性
主要治理工藝（yì）
VOC廢氣處理可使用如下工（gōng）藝設備
1. UV光（guāng）解催化氧化法、低溫等離子法、活性炭淨化法、混合處理法
2. 催化燃燒處理法（CO）
3. 蓄熱式催化燃燒法（RCO）
4. 沸石轉輪+CO/沸石轉輪+TO/沸石轉輪+RCO/沸石轉輪+RTO
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